科目代码：890
科目名称：半导体物理学
适用专业：电子科学与技术
一、考试要求
半导体物理学适用于河北工业大学电子信息工程学院电子科学
与技术专业研究生招生专业课考试。主要考察对于半导体物理学基本
概念、半导体内部载流子的基本运动规律、半导体物理特性的计算方
法的掌握及运用所学知识分析问题和解决问题的能力。
二、考试形式
试卷采用客观题型和主观题型相结合的形式，主要包括选择题、
填空题、简答题、计算题、分析论述题等。考试时间为 3 小时，总分
为 150 分。
三、考试内容
（一）半导体中的电子状态
1.常见半导体的晶格结构类型和结合性质；
2.晶体中电子的运动，布洛赫定理、共有化运动和能带的形成，
电子能量 E（k）与波矢 k 的关系，半导体中的电子的速度和加速度，
有效质量概念和物理意义；
3.导体、半导体和绝缘体的能带，本征半导体的导电机构，空穴
的概念；
4.回旋共振概念及其在能带分析中的应用，锗、硅的能带结构，
典型的Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族半导体的能带结构；
（二）半导体中的杂质和缺陷
1.晶体中杂质的存在形式，替位式和间隙式杂质的概念；
2.施主杂质和施主能级的概念，受主杂质和受主能级的概念，电
离和电离能的概念；
3.浅能级杂质的计算；
4.杂质的补偿作用，双性杂质的概念，深能级杂质及其特点；
5.点缺陷的概念及缺陷能级，位错及位错能级；
（三）半导体中载流子的统计分布
1.k 空间中量子态的分布，状态密度的概念，球形和椭球形等能
面情况下状态密度的计算；
2.费米分布函数和玻尔兹曼分布函数，费米能级的物理意义，波
尔兹曼分布的适用条件；
3.导带电子浓度和价带空穴浓度的计算，导带和价带有效状态密
度的概念，非简并半导体中热平衡电子浓度和空穴浓度的计算公式，
热平衡载流子浓度的乘积，本征半导体的载流子浓度；
4.杂质能级被电子和空穴占据概率的计算，只含一种施主杂质的
n 型半导体中载流子浓度的计算，只含一种受主杂质的 p 型半导体中
载流子浓度的计算，n 型半导体中电子浓度温度关系及其机理；
5.一般情况下半导体中载流子浓度的计算；
6.简并半导体的概念，简并半导体载流子浓度的计算，简并化条
件；
7.重掺杂情况下载流子冻析效应，杂质能带，禁带变窄效应；
（四）半导体的导电特性
1.欧姆定律微分形式数学定义式，载流子漂移运动和迁移率的概
念，电导率与迁移率的关系，漂移电流密度表达式；
2.载流子散射的概念，散射概率，电离杂质散射的概念及其散射
概率的温度关系，晶格振动散射的概念，声学波和光学波，长纵声学
波和光学波散射的机理，长纵声学波散射概率的温度关系；
3．载流子平均自由时间的概念及其与散射概率的关系，迁移率
与平均自由时间的关系；
4.电导率与平均自由时间的关系，电导迁移率和电导有效质量的
概念；
5.迁移率与杂质浓度和温度的关系；电阻率与杂质浓度的关系，
电阻率的温度关系；
6.强场效应，热载流子，欧姆定律的偏离及其机理，平均漂移速
度与电场强度的关系，多能谷散射，体内负微分电导，高场畴区及耿
氏振荡；
（五）非平衡载流子
1.非平衡载流子的概念，非平衡载流子的注入与复合，非平衡载
流子的寿命；
2.准费米能级的概念，利用准费米能级计算非平衡情况下载流子
浓度，多子准费米能级和少子准费米能级相对热平衡费米能级的偏离
情况；
3.非平衡载流子的复合的概念，直接复合理论，直接复合机制复
合率和非平衡载流子寿命的推导，间接复合的概念，间接复合的 4 个
过程，间接复合机制复合率和非平衡载流子寿命的推导，复合中心的
概念，杂质或缺陷能级成为有效复合中心的条件，表面复合的概念，
俄歇复合的概念；
4.陷阱的概念，陷阱效应对非平衡载流子复合的影响，杂质或缺
陷能级成为有陷阱中心的条件；
5.载流子扩散运动的概念，扩散流密度，扩散定律，一维稳态扩
散方程及其解；
6.同时存在扩散运动和漂移运动情况下电流密度的表达式，载流
子的爱因斯坦关系；
7.连续性方程及其解，利用连续性方程分析光激发载流子的衰
减、少数载流子脉冲在电场中的漂移和稳态情况下的表面复合。
四、参考书目
《半导体物理学》，主编：刘恩科，朱秉升，罗晋生，电子工业
出版社出版社（2011 年版）。
五、其他注意事项：
考生需要携带无编程无存储无记忆功能的计算器。