中科院苏州纳米所黄勇研究员课题组主要致力于III-V半导体MOCVD材料生长和新型光电子器件的研究。涉及方向包括MOCVD外延生长，半导体材料表征，光电子器件制备，器件测试与分析等。目前在中科院“百人计划”人才专项支持下，从事III-V红外探测器的研究，包括锑化物和InGaAs红外探测器。根据需要，2016年度拟招聘以下岗位科研人员：
招聘岗位：
博士后、研究实习员各1名
岗位职责：
III-V半导体红外探测器的外延生长和器件制备
岗位要求：
（1）理学或工学博士、硕士毕业；
（2）具有半导体物理、半导体材料、半导体光电子器件背景；
（3）对科研有热情，了解相关领域国内外最新进展，动手能力强，有较强的英语阅读和写作能力，在前期学习/工作过程中做出同行认可的成绩；
（4）具有较强的团队合作意识、责任心和独立开展科研工作的能力，有意从事III-V半导体材料红外探测器以及相关光电子器件的研究；
（5）具有MOCVD材料生长、红外探测器制备和测试经验者将优先考虑。
岗位待遇：
工资福利待遇按中科院苏州纳米所和国家规定执行，提供月工资+绩效+年终奖励。按相关政策博士后可向园区政府申领博士后生活补贴及研究成果奖励。业绩突出者，博士后出站后可以优先留所工作。
应聘方式：
应聘者请将个人简历和相关材料（包括论文发表情况、工作总结等），以“应聘岗位＋姓名”为主题发送至邮箱yhuang2014@sinano.ac.cn。我们将以邮件或电话的方式通知通过初试的应聘者，前来参加单位组织的笔试或面试。
联系人：黄勇Email：yhuang2014@sinano.ac.cn
