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上海交大2011年半导体物理与器件基础考研真题
来源:2exam.com 2011-1-24 15:42:37 【字体:小 大】

　一、 
　　1.半导体能带形成原因 
　　2.绝缘体 导体 半导体 能带图 
　　3.算一个半导体的吸收限 
　　二、算扩散电流 
　　三、 
　　1.基区宽度调变效应 
　　2.根据基区宽度调变效应的计算 
　　四、算基区长度与扩散长度相等时的放大系数 
　　五、算mos管的跨导 
　　六、短沟道效应及短沟道效应引起的参数变化 
　　七、算有效阈值电压与阈值电压的差值

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