南京大学电子科学与工程学院宽禁带半导体器件与微纳光电实验室（陆海教授课题组）因工作需要，现公开招聘副研究员一名。
一、岗位描述：
从事GaN功率电子器件的研究工作，并独立指导研究生。
二、应聘资格：
1、应聘者应具备半导体器件的研究背景，具备GaN电子器件研究经验者优先。
2、年龄在40周岁以下，具有博士学位。
3、在国际会议和期刊上发表过较多的高质量论文。
三、工资待遇：
本岗位为南京大学专职科研岗位。聘期两年，年薪12-16万，具体面议；同时享受南京大学专职科研人员的福利待遇和科研提成。具体相关政策详见人力资源处网站《南京大学专职科研系列岗位聘任办法（试行）》文件。两年后，成果优秀者，可申请应聘副教授；特别优秀者可直接申请南京大学“登峰人才支持计划”B层次（详见：http://hr.nju.edu.cn/urp-publish/publish/XmlFile/101/W_199_63390.xml）。
四、陆海教授及实验室简介：
陆海教授，博士生导师，国家杰出青年科学基金获得者，教育部长江学者特聘教授。南京大学是我国宽禁带半导体领域的主要研究单位之一，实验设备齐全。近年来，本课题组所在的江苏省光电信息功能材料重点实验室，在III族氮化物半导体材料生长、光电器件、微波功率器件和功率电子器件等方面，取得了丰硕的研究成果。
详细信息可参考：http://iiiv.nju.edu.cn/Homepage/index.html。
五、申请程序及提交材料：
申请者可通过电子邮件，提交个人简历（pdf格式，包括科研成果目录），邮件主题请注明“应聘专职科研岗位”。确定正式申请后再依规定提交其他材料。
六、联系方式
通信地址：南京市仙林校区仙林大道163号，南京大学电子科学与工程学院
邮政编码：210023
联系人：任老师
电子邮件：ffren@nju.edu.cn
